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DFN0606 MOSFET：小封装里的高效器件
用更少的器件实现更多的功能，这是移动和便携式应用（尤其是可穿戴设备）的宗旨。通过使用可用的最高效开关选项，设计人员可以获得更多的空间来嵌入功能，同时最大程度地减少电池消耗。Nexperia新推出的小信号MOSFET采用超小型DFN0606封装，能够大幅节省空间，且导通电阻超低。
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DFN0606 MOSFET：小封装里的高效器件2
用更少的器件实现更多的功能，这是移动和便携式应用（尤其是可穿戴设备）的宗旨。通过使用可用的最高效开关选项，设计人员可以获得更多的空间来嵌入功能，同时最大程度地减少电池消耗。Nexperia新推出的小信号MOSFET采用超小型DFN0606封装，能够大幅节省空间，且导通电阻超低。
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DFN0606 MOSFET：小封装里的高效器件3
用更少的器件实现更多的功能，这是移动和便携式应用（尤其是可穿戴设备）的宗旨。通过使用可用的最高效开关选项，设计人员可以获得更多的空间来嵌入功能，同时最大程度地减少电池消耗。Nexperia新推出的小信号MOSFET采用超小型DFN0606封装，能够大幅节省空间，且导通电阻超低。
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- 产品
- 描述
- 价格
- 库存
- DC
- 数据手册
- 操作
-
GAN140-650FBEZ
650FBE - 650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 5 mm x 6 mm package
库存: 99999999
1+: ¥17.9242
500+: ¥16.2947
1000+: ¥15.5188
3000+: ¥14.7798
1+: ¥17.9242
500+: ¥16.2947
1000+: ¥15.5188
3000+: ¥14.7798
99999999
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GAN140-650EBEZ
650EBE - 650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package
库存: 99999999
1+: ¥19.2121
500+: ¥17.4656
1000+: ¥16.6339
3000+: ¥15.8418
1+: ¥19.2121
500+: ¥17.4656
1000+: ¥16.6339
3000+: ¥15.8418
99999999
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GAN080-650EBEZ
650EBE - 650 V, 80 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package
库存: 99999999
1+: ¥28.1205
500+: ¥25.5641
1000+: ¥24.3468
3000+: ¥23.1874
1+: ¥28.1205
500+: ¥25.5641
1000+: ¥24.3468
3000+: ¥23.1874
99999999
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NSF040120L4A0Q
1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET
库存: 99999999
1+: ¥42.9321
500+: ¥39.0292
1000+: ¥37.1707
3000+: ¥35.4006
1+: ¥42.9321
500+: ¥39.0292
1000+: ¥37.1707
3000+: ¥35.4006
99999999
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GAN041-650WSBQ
650WSB - 650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package
库存: 99999999
1+: ¥57.7437
500+: ¥52.4943
1000+: ¥49.9946
3000+: ¥47.6139
1+: ¥57.7437
500+: ¥52.4943
1000+: ¥49.9946
3000+: ¥47.6139
99999999
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GAN063-650WSAQ
650WSA - 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
库存: 99999999
1+: ¥98.3146
500+: ¥89.3769
1000+: ¥85.1208
3000+: ¥81.0675
1+: ¥98.3146
500+: ¥89.3769
1000+: ¥85.1208
3000+: ¥81.0675
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GAN140-650FBEZGAN140GAN140-650FBEZ650FBE - 650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 5 mm x 6 mm package库存: 999999991+: ¥17.9242500+: ¥16.29471000+: ¥15.51883000+: ¥14.77981+: ¥17.9242500+: ¥16.29471000+: ¥15.51883000+: ¥14.779899999999
GAN140-650EBEZGAN140GAN140-650EBEZ650EBE - 650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package库存: 999999991+: ¥19.2121500+: ¥17.46561000+: ¥16.63393000+: ¥15.84181+: ¥19.2121500+: ¥17.46561000+: ¥16.63393000+: ¥15.841899999999
GAN080-650EBEZGAN080GAN080-650EBEZ650EBE - 650 V, 80 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package库存: 999999991+: ¥28.1205500+: ¥25.56411000+: ¥24.34683000+: ¥23.18741+: ¥28.1205500+: ¥25.56411000+: ¥24.34683000+: ¥23.187499999999
NSF040120L4A0QNSF040120L4A0NSF040120L4A0Q1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET库存: 999999991+: ¥42.9321500+: ¥39.02921000+: ¥37.17073000+: ¥35.40061+: ¥42.9321500+: ¥39.02921000+: ¥37.17073000+: ¥35.400699999999
GAN041-650WSBQGAN041GAN041-650WSBQ650WSB - 650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package库存: 999999991+: ¥57.7437500+: ¥52.49431000+: ¥49.99463000+: ¥47.61391+: ¥57.7437500+: ¥52.49431000+: ¥49.99463000+: ¥47.613999999999
GAN063-650WSAQGAN063GAN063-650WSAQ650WSA - 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET库存: 999999991+: ¥98.3146500+: ¥89.37691000+: ¥85.12083000+: ¥81.06751+: ¥98.3146500+: ¥89.37691000+: ¥85.12083000+: ¥81.067599999999