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    PMDXB600UNE
    PMDXB600UNE

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    • 商品编号:
      PMDXB600UNEZ
    • 批次:
      2517+
    • 简述:
      20 V, dual N-channel Trench MOSFET
    • 描述:

      Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

    • 数据手册:
    库存：150,000
    • 数量：
    • 单价:
      ¥0.3192
    • 总价:
      ¥0.0000
    价格（包含13%的增值税）
    数量单价总价
    1¥0.3192¥0.3192
    500¥0.2902¥145.1000
    1000¥0.2764¥276.4000
    3000¥0.2632¥789.6000

    特性

    • Trench MOSFET technology

    • Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm

    • Exposed drain pad for excellent thermal conduction

    • ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

    • Drain-source on-state resistance RDSon = 470 mΩ

    目标应用

    • Relay driver

    • High-speed line driver

    • Low-side load switch

    • Switching circuits

    暂无数据
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